Q 值測(cè)量范圍  2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔  
固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  
工作誤差  ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  
電感測(cè)量范圍           4.5nH ～ 140mH  
電容直接測(cè)量范圍           1 ～ 200pF  
主電容調(diào)節(jié)范圍            18 ～ 220pF  
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度         100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％  
信號(hào)源頻率覆蓋范圍    100kHz ～ 160MHz  
頻率分段（虛擬 ）100 ～ 999.999kHz，1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz  
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字  

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。

一 . 概述

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套，可用于測(cè)量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)（損耗角正切值）。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品，它采用了數(shù)顯微測(cè)量裝置，因而讀數(shù)方便，數(shù)據(jù)精確。
測(cè)試裝置由一個(gè)LCD數(shù)字顯示微測(cè)量裝置和一對(duì)間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品，微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器，通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化，測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。 

測(cè)試準(zhǔn)備工作
先要詳細(xì)了解配用Q表的使用方法，操作時(shí)，要避免人體感應(yīng)的影響。
a. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于較小電容量。
b. 把本測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端子上。
c. 配上和測(cè)試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈（本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求），        

                          如：1MHz 時(shí)電感取250uH，15MHz時(shí)電感取1.5uH。
d. 短按ON/OFF按鍵，打開(kāi)液晶顯示屏。
e. 調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿，使平板電容器二極片相接為止，長(zhǎng)按SET按鍵將初始值設(shè)置為0。
4．介電常數(shù)Σ的測(cè)試
a. 再松開(kāi)二極片，把被測(cè)樣品插入二極片之間，調(diào)節(jié)平板電容器，到二極片夾住樣品止（注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿，以免夾得過(guò)緊或過(guò)松），這時(shí)能讀取的測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值，既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表處于諧振點(diǎn)上。
b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí)Q 表又失諧，此時(shí)調(diào)節(jié)平板電容器，使Q 表再回到諧振點(diǎn)上，讀取測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4
c. 計(jì)算被測(cè)樣品的介電常數(shù)：
                         Σ＝D2 / D4
5．介質(zhì)損耗系數(shù)的測(cè)試
a. 重新把測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端上。
把被測(cè)樣品插入二極片之間，改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表處于諧振點(diǎn)
上，讀得Q 值，記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。
b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí)Q 表又失諧，再改變Q 表上的主調(diào)電容
容量，使Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得Q 值，記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。
c. 然后取下測(cè)試裝置，再改變Q 表上的主調(diào)電容容量，重新使之諧振，電
容讀數(shù)記為C3，此時(shí)可計(jì)算得到測(cè)試裝置的電容為CZ = C3 －C1
d. 計(jì)算被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)

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式中：CZ 為測(cè)試裝置的電容（平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2）
C0 為測(cè)試電感的分布電容（參考LKI-1 電感組的分布電容值）